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    2. 2H-MoS2(天然MoS2六角形)

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      天然MoS2是間接帶隙為1.2eV的半導體。具有更好的控制純度(純度99.995%)。單層MoS2具有?1.8eV的帶隙。二硫化鉬用作例如光檢測器和晶體管。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起,并且可以被剝離成薄的2D層。MoS2屬于第VI族過渡金屬二硫屬元素(TMDC)。 

      天然MoS2晶體具有約1-1.5厘米的典型橫向尺寸,為六角形。 

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