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    2. HfS2(二硫化鉿)

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      HfS2是具有約2eV的間接帶隙的半導體。單層二氧化鉿預計具有?1.2eV的直接帶隙。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起,并且可以被剝離成薄的2D層。HfS2屬于IV族過渡金屬二硫屬元素(TMDC)。

      二硫化鉿晶體的橫向尺寸為?0.6-0.8厘米,呈六邊形,外觀紅色。

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