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    2. GeSe(硒化鍺)

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      GeSe是間接帶隙?1.1 eV的半導體。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起,并且可以被剝離成薄的2D層。硒化硒屬于VI族過渡金屬單硫化物。 

      GeSe晶體具有約0.6-0.8厘米的典型橫向尺寸,呈矩形,具有金屬外觀。

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