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    2. GaSe(2H相硒化鎵)

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      GaSe(2H相)是間接帶隙為?2.1eV的半導體。GaSe已經被用作半導體,光電導體,非線性光學中的二次諧波產生晶體和遠紅外轉換材料。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起,并且可以被剝離成薄的2D層。GaSe屬于第13組過渡后金屬單硫元素。 硒化鎵的2H相具有約0.6-0.8厘米的典型橫向尺寸,具有深銅金屬外觀。 

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